深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)，收購）晶體管 IGT60R070D1ATMA4 和 IGO60R070D1AUMA1 CoolGaN?氮化鎵HEMT描述Infineon CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質(zhì)量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術(shù)，設(shè)計用于實現(xiàn)開關(guān)模…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)，收購）晶體管 IGT60R070D1ATMA4 和 IGO60R070D1AUMA1 CoolGaN?氮化鎵HEMT
描述
Infineon CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢，包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質(zhì)量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術(shù)，設(shè)計用于實現(xiàn)開關(guān)模式電源中的超高效率和功率密度。這些器件的工作方式類似于采用p-GaN柵極結(jié)構(gòu)以及增強(qiáng)模式柵極驅(qū)動偏置的傳統(tǒng)硅MOSFET。
Infineon CoolGaN質(zhì)量出眾，非常適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。CoolGaN支持針對PFC來調(diào)整更簡單的半橋拓?fù)?，包括消除有損輸入橋式整流器。CoolGaN HEMT可為功率半導(dǎo)體器件提供更高的臨界電場，從而實現(xiàn)出色的高速開關(guān)。
特性
600V功率器件的品質(zhì)因數(shù)
非常適合用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)?/span>
功率密度可提高三倍
經(jīng)過優(yōu)化的開啟和關(guān)閉模式
面向創(chuàng)新解決方案和大容量的技術(shù)
SMPS的超高效率
表面貼裝封裝可確保完全訪問GaN的開關(guān)能力
各種驅(qū)動器IC產(chǎn)品組合，簡單易用
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