商品名稱:IGT60R070D1ATMA4
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IGT60R070D1ATMA4-CoolGaN?氮化鎵HEMT具有諸多優(yōu)勢,包括超高效率、可靠性、功率密度以及相對于硅的極高質(zhì)量。CoolGaN晶體管采用極為可靠的技術(shù),設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)開關(guān)模式電源中的超高效率和功率密度。
產(chǎn)品屬性
FET 類型: N 通道
技術(shù): GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 31A(Tc)
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 1,6V @ 2,6mA
Vgs(最大值): -10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 380 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: PG-HSOF-8-3
封裝/外殼: 8-PowerSFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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