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英飛凌 IMDQ75R008M1H 一款750V CoolSiC? 功率 MOSFET 晶體管

來(lái)源：本站時(shí)間：2024-11-22瀏覽數(shù)：

深圳市明佳達(dá)電子有限公司推出英飛凌 IMDQ75R008M1H 一款750V CoolSiC? 功率 MOSFET 晶體管，高度堅(jiān)固的 SiC MOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。IMDQ75R008M1H碳化硅 MOSFET 單管的一些關(guān)鍵特性和優(yōu)勢(shì)：高度穩(wěn)定的 750V 技術(shù)：這款 MOSFET 采用英飛凌的 CoolSiC? 技…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司推出英飛凌 IMDQ75R008M1H 一款750V CoolSiC? 功率 MOSFET 晶體管，高度堅(jiān)固的 SiC MOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。

IMDQ75R008M1H碳化硅 MOSFET 單管的一些關(guān)鍵特性和優(yōu)勢(shì)：

高度穩(wěn)定的 750V 技術(shù)：這款 MOSFET 采用英飛凌的 CoolSiC? 技術(shù)，提供穩(wěn)定的 750V 工作電壓。

同類(lèi)最佳的 RDS(on) x Qfr：在導(dǎo)通電阻和柵極電荷的乘積方面，IMDQ75R008M1H 提供了同類(lèi)最佳的性能。

出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG：在導(dǎo)通電阻和輸出電荷以及柵極電荷的乘積方面表現(xiàn)出色。

低 Crss/Ciss 和高 Vgsth：具有較低的反向傳輸電容和較高的閾值電壓。

100% 經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試：確保了器件的高可靠性。

.XT 互連技術(shù)：采用英飛凌的 .XT 互連技術(shù)，具有同類(lèi)最佳的散熱性能。

尖端的頂部冷卻封裝：提供了高效的熱耗散能力。

卓越的硬開(kāi)關(guān)效率：在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了高效率。

實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率：允許在更高的頻率下工作，減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度。

可靠性更高：提供了更高的可靠性和更長(zhǎng)的使用壽命。

可承受超過(guò) 500V 的總線電壓：能夠承受較高的總線電壓。

對(duì)寄生匝的穩(wěn)健性：對(duì)寄生匝具有穩(wěn)健的性能。

單極驅(qū)動(dòng)：簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。

同類(lèi)最佳的熱耗散：在熱耗散方面表現(xiàn)優(yōu)異。

IMDQ75R008M1H的應(yīng)用領(lǐng)域包括固態(tài)繼電器 (SSR)、單相組串逆變器解決方案、用于電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電以及服務(wù)器電源等。這款碳化硅 MOSFET 單管以其高效節(jié)能特性和最佳可靠性，在各種高要求的電力電子應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。

IMDQ75R008M1H參數(shù)：

ID (@25°C) 最大值： 173 A

最低和最高工作溫度： -55 °C 175 °C

封裝： Q-DPAK

極性： N

認(rèn)證：工業(yè)級(jí)

RDS (on) (@ Tj = 25°C) ：7.8 mΩ

技術(shù)： CoolSiC? G1

最大 VDS： 750 V