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最新資訊英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工…
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN 650 V G5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
最新一代CoolGaN晶體管可直接替代CoolGaN 600 V G1晶體管，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有平臺(tái)的快速重新設(shè)計(jì)。新器件改進(jìn)了性能指標(biāo)，確保為重點(diǎn)應(yīng)用帶來(lái)具有競(jìng)爭(zhēng)力的開(kāi)關(guān)性能。與主要同類(lèi)產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)品系列相比，CoolGaN 650 V G5晶體管輸出電容中存儲(chǔ)的能量（Eoss）降低了多達(dá)50%，漏源電荷（Qoss）和柵極電荷（Qg）均減少了多達(dá) 60%。憑借這些特性，新器件在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中都具有出色的效率。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體技術(shù)相比，其功率損耗大幅降低，根據(jù)具體使用情況可降低20%-60%。
這些優(yōu)勢(shì)使該系列器件能夠在高頻率下以極低的功耗工作，因此具有出色的功率密度。CoolGaN 650 V G5晶體管使SMPS應(yīng)用變得更小、更輕，或在規(guī)定外形尺寸的情況下提高輸出功率范圍。
該新型高壓晶體管產(chǎn)品系列提供多種 RDS(on) 封裝組合。十種 RDS(on) 級(jí)產(chǎn)品采用各種SMD封裝，如 ThinPAK 5x6、DFN 8x8、TOLL 和 TOLT。所有產(chǎn)品均在奧地利菲拉赫和馬來(lái)西亞居林的高性能8英寸生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)。未來(lái)，CoolGaN將過(guò)渡到 12 英寸生產(chǎn)線(xiàn)。這將使英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大其CoolGaN產(chǎn)能，并確保在GaN功率市場(chǎng)上擁有穩(wěn)健的供應(yīng)鏈。Yole Group預(yù)測(cè)到2029年，該市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 20 億美元。
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時(shí)間：2025-05-12
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