最新資訊DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。
概述：
DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。它可以在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏能源系統(tǒng)、直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及數(shù)據(jù)中心和電信電源中實(shí)現(xiàn)高密度和高效率。該器件的低導(dǎo)通電阻，加上52nC 15V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)的總柵極電荷(Qg)，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠最大限度地提高效率，同時(shí)確保最大限度地降低耗散功率。TO247-4封裝在連接到源極的第四條引線中包含一個(gè)額外的開(kāi)爾文溫度檢測(cè)引腳，提供了優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能的能力。DMWS120H100SM4符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，在通過(guò)IATF 16949認(rèn)證的工廠中制造，額定結(jié)溫(TJ)為+150° C。
特性
低導(dǎo)通電阻
高BVDSS 額定值，適用于電源應(yīng)用
低輸入電容
無(wú)鉛表面處理；符合RoHS指令
無(wú)鹵無(wú)銻，綠色器件
規(guī)格
封裝類型為TO247-4
封裝材料為模壓塑料，綠色模復(fù)合材料
UL可燃性等級(jí)：94V-0
端子霧錫表面處理，通過(guò)銅引線框架退火
可根據(jù)MIL-STD-202方法208進(jìn)行焊接
重量：6.6克（近似值）
應(yīng)用
數(shù)據(jù)中心和電信電源
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
直流-直流轉(zhuǎn)換器
太陽(yáng)能逆變器
電動(dòng)汽車電池充電器
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