最新資訊日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。這些器件采…
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。這些器件采用合并PIN肖特基（MPS）設(shè)計(jì)，最小爬電距離為3.2 mm，融合低電容電荷與溫度不變的開關(guān)特性等優(yōu)點(diǎn)，可提高高速硬開關(guān)電源設(shè)計(jì)的效率。
對于高壓應(yīng)用，Vishay日前發(fā)布的器件的高爬電距離增強(qiáng)了電絕緣性能，而其SlimSMA HV封裝采用CTI 3 600的模制化合物，以確保出色的電絕緣性。對于空間受限的設(shè)計(jì)，這些二極管厚度僅為0.95 mm，而具有類似封裝尺寸的SMA和SMB封裝競品的厚度為2.3 mm。
與硅二極管不同，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何溫度下都能保持低至7.2 nC的低容性電荷，從而加快開關(guān)速度，降低功率損耗，提高高頻應(yīng)用的效率。此外，這些器件幾乎沒有恢復(fù)尾電流，從而進(jìn)一步提高了效率，而其MPS結(jié)構(gòu)可降低正向壓降至1.30 V。
VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作溫度高達(dá)+175 °C，其典型應(yīng)用包括服務(wù)器電源中使用的DC/DC和AC/DC轉(zhuǎn)換器的自舉二極管、防并聯(lián)二極管和PFC二極管；發(fā)電和存儲(chǔ)系統(tǒng)；工業(yè)驅(qū)動(dòng)器和工具；以及X射線發(fā)生器。這些器件具有正溫度系數(shù)，便于在這些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。
這些二極管符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，濕度靈敏度等級為1，符合J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)，并滿足JESD 201第二類whisker 測試要求。
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新款SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為14周。
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