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回收 TI MOSFET:N 溝道 MOSFET、P 溝道 MOSFET、電源模塊

回收 TI MOSFET:N 溝道 MOSFET、P 溝道 MOSFET、電源模塊

來源:本站時(shí)間:2025-07-31瀏覽數(shù):

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 回收 TI MOSFET:N 溝道 MOSFET、P 溝道 MOSFET、電源模塊深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件回收服務(wù)商,長期專注于電子元器件的回收業(yè)務(wù),包括:集成電路、5G芯片、新能源集成電路、物聯(lián)網(wǎng)集成電路、 藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、汽車級…

深圳市明佳達(dá)電子有限公司 回收 TI MOSFET:N 溝道 MOSFET、P 溝道 MOSFET、電源模塊


深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件回收服務(wù)商,長期專注于電子元器件的回收業(yè)務(wù),包括:集成電路、5G芯片、新能源集成電路、物聯(lián)網(wǎng)集成電路、 藍(lán)牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、汽車級IC、通信IC、人工智能IC、存儲(chǔ)IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器等。憑借專業(yè)的市場洞察力和龐大的銷售網(wǎng)絡(luò),能夠?yàn)榭蛻籼峁┳罹吒偁幜Φ幕厥諆r(jià)格,致力于成為客戶在電子元器件回收領(lǐng)域最值得信賴的合作伙伴。


回收具體流程:

1.您將積壓的IC/模組庫存進(jìn)行簡單分類,確定型號、品牌、生產(chǎn)日期、數(shù)量等.

2.請將庫存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們評估團(tuán)隊(duì).

3.等待公司專業(yè)人士的采購報(bào)價(jià),達(dá)成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進(jìn)行交付.

4.公司只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源.


NexFET? MOSFET 提供廣泛的 N 溝道和 P 溝道功率模塊以及離散電源解決方案。我們的高度集成 MOSFET 支持更高的效率、更長的電池壽命、更高的功率密度和更高的頻率,以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)。這些優(yōu)勢為小型化設(shè)計(jì)提供了靈活性,并使設(shè)計(jì)工程師能夠縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。


N溝道MOSFET

N溝道MOSFET是T功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線中的重要組成部分,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度等優(yōu)勢。


TI N溝道MOSFET主要包括以下類型:

低壓N溝道MOSFET(<100V):如CSD17313Q2、CSD18532Q5B等型號,適用于電源管理、LED驅(qū)動(dòng)等消費(fèi)電子領(lǐng)域。

中高壓N溝道MOSFET(100V-600V):包括CSD19536Q5A、CSD19535KCS等型號,常用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開關(guān)電源等場景。

超高壓N溝道MOSFET(>600V):主要應(yīng)用于新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車充電樁等高功率領(lǐng)域。


這些N溝道MOSFET采用先進(jìn)的工藝技術(shù),如TI的NexFET?功率MOSFET技術(shù),具有優(yōu)化的柵極電荷(Qg)和低導(dǎo)通電阻(RDS(on))特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率。


P溝道MOSFET

P溝道MOSFET在電路設(shè)計(jì)中常用于簡化電源管理架構(gòu),TI的P溝道產(chǎn)品以高性能和可靠性著稱。


TI P溝道MOSFET包括:

標(biāo)準(zhǔn)P溝道MOSFET:如CSD25404Q3、CSD25402Q3等型號,適用于負(fù)載開關(guān)、電源路徑管理等應(yīng)用。

汽車級P溝道MOSFET:符合AEC-Q101認(rèn)證的產(chǎn)品,如CSD25401Q3A等,適用于汽車電子系統(tǒng)。

小信號P溝道MOSFET:采用SOT-23等小型封裝,用于便攜式設(shè)備和空間受限的應(yīng)用場景。


TI的P溝道MOSFET具有低柵極電荷和優(yōu)化的體二極管特性,能夠減少開關(guān)損耗,提高系統(tǒng)整體效率。


電源模塊

電源模塊集成了MOSFET、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,適用于高功率密度和高效率要求的應(yīng)用場景。


主要型號包括:

LMG3410R050:集成600V GaN FET與驅(qū)動(dòng)電路,支持高效電源轉(zhuǎn)換,適用于服務(wù)器電源、數(shù)據(jù)中心及工業(yè)電源系統(tǒng)。

LMG3522R030:650V GaN功率模塊,具備過流保護(hù)與溫度監(jiān)測功能,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電樁、太陽能逆變器等高功率場景。

傳統(tǒng)硅基電源模塊:包括各種DC-DC轉(zhuǎn)換器、POL(Point-of-Load)模塊等。


TI的電源模塊采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)和熱管理設(shè)計(jì),能夠顯著提高功率密度和系統(tǒng)可靠性。


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