明佳達電子作為專業(yè)的電子元器件供應商，現(xiàn)貨供應高性能的 MOSFET 晶體管——BSC059N04LS6。這款晶體管屬于 Infineon 的 OptiMOS? 6 系列，是一款 40V 功率 MOSFET，廣泛應用于多種高效能、低熱設計的系統(tǒng)中。BSC059N04LS6 產(chǎn)品描述BSC059N04LS6 是一款 N 溝道功率 MOSF…
明佳達電子作為專業(yè)的電子元器件供應商，現(xiàn)貨供應高性能的 MOSFET 晶體管——BSC059N04LS6。這款晶體管屬于 Infineon 的 OptiMOS? 6 系列，是一款 40V 功率 MOSFET，廣泛應用于多種高效能、低熱設計的系統(tǒng)中。
BSC059N04LS6 產(chǎn)品描述
BSC059N04LS6 是一款 N 溝道功率 MOSFET，采用 TDSON-8-EP 封裝，專為滿足高效率、低導通電阻和高開關性能的需求而設計。其耐壓為 40V，連續(xù)漏極電流可達 59A，導通電阻低至 5.9mΩ（@10V, 50A），適用于同步整流、ORing 電路及多通道 LED 驅(qū)動等領域。
BSC059N04LS6 功能特性
低導通電阻：相比同類產(chǎn)品，BSC059N04LS6 的導通電阻降低 30%，圖騰柱損耗減少 29%，開關損耗降低 46%，適用于高效能、低熱設計的系統(tǒng)。
高開關性能：柵極電荷量僅為 9.4nC（@10V），輸入電容為 830pF（@20V），反向傳輸電容為 21pF（@20V），確保快速開關。
寬工作溫度范圍：工作溫度范圍為 -55℃ 至 +175℃，適用于各種極端環(huán)境。
優(yōu)化的抗誤導通設計：標準電平功率 MOSFET 針對不必要的感應誤導通進行了優(yōu)化，降低了功率損耗和故障風險。
規(guī)格參數(shù)
型號：BSC059N04LS6
品牌：Infineon
封裝：TDSON-8
耐壓：40V
連續(xù)漏極電流：59A
導通電阻：5.9mΩ（@10V, 50A）
耗散功率：38W
閾值電壓：2.3V
柵極電荷量：9.4nC（@10V）
輸入電容：830pF（@20V）
反向傳輸電容：21pF（@20V）
工作溫度范圍： -55℃ 至 +175℃
應用場景
BSC059N04LS6 廣泛應用于以下領域：
電源管理：服務器、臺式電腦、無線充電器、快充設備中的同步整流。
LED 驅(qū)動：多通道 LED 照明系統(tǒng)。
電路保護：ORing 電路（過載保護）及防反接電路設計。
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