深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng),回收] NTH4L045N065SC1 (ON) 650V 碳化硅 N 溝道晶體管產(chǎn)品描述NTH4L045N065SC1 是 650V 碳化硅(SiC)MOSFET N 溝道晶體管 - EliteSiC,通孔 TO-247-4L。產(chǎn)品屬性FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [供應(yīng),回收] NTH4L045N065SC1 (ON) 650V 碳化硅 N 溝道晶體管
產(chǎn)品描述
NTH4L045N065SC1 是 650V 碳化硅(SiC)MOSFET N 溝道晶體管 - EliteSiC,通孔 TO-247-4L。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):55A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):50 毫歐 @ 25A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.3V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):105 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1870 pF @ 325 V
功率耗散(最大值):187W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L
封裝/外殼:TO-247-4
特點(diǎn)
典型值 RDS(on) = 33 m @ VGS = 18 V
典型值 RDS(on) = 45 m @ VGS = 15 V
超低柵極電荷 (QG(tot) = 105 nC)
高速開關(guān),低電容(Coss = 162 pF)
100% 雪崩測試
TJ = 175°C
典型應(yīng)用
SMPS(開關(guān)模式電源)
太陽能逆變器
UPS(不間斷電源)
能源存儲器
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