深圳市明佳達電子有限公司全新原裝供應英飛凌功率晶體管《IPB120N10S4-05》N通道汽車用MOSFET符合汽車應用類AEC-Q101標準。供應型號：IPB120N10S4-05年份：新23+封裝：TO-263產(chǎn)品屬性制造商: Infineon 產(chǎn)品種類: MOSFET技術(shù): Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: TO-263-3…
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝供應英飛凌功率晶體管《IPB120N10S4-05》N通道汽車用MOSFET符合汽車應用類AEC-Q101標準。
供應型號：IPB120N10S4-05
年份：新23+
封裝：TO-263
產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.7 V
Qg-柵極電荷: 91 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
配置: Single
下降時間: 35 ns
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
上升時間: 10 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
寬度: 9.25 mm
單位重量: 4 g
該MOSFET非常適合用于燃油噴射系統(tǒng)、車載無線充電應用以及稱為Board Net的C02減排48V電源子系統(tǒng)。
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