最新資訊深圳市明佳達(dá)電子有限公司出售羅姆晶體管《QH8MA4TCR/QH8MA4》30V Nch+Pch 小信號(hào) MOSFET 全新原裝，質(zhì)量保證！產(chǎn)品描述ROHM Semiconductor的硅功率MOSFET具有超快的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET有多種封裝，包括微型的0604尺寸，以節(jié)省各種設(shè)計(jì)中的空間。ROHM Semi…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司出售羅姆晶體管《QH8MA4TCR/QH8MA4》30V Nch+Pch 小信號(hào) MOSFET 全新原裝，質(zhì)量保證！
產(chǎn)品描述
ROHM Semiconductor的硅功率MOSFET具有超快的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻。這些MOSFET有多種封裝，包括微型的0604尺寸，以節(jié)省各種設(shè)計(jì)中的空間。
ROHM Semiconductor 硅功率 MOSFET 提供一系列驅(qū)動(dòng)類型（0.9V 至 20V），使其非常適合各種應(yīng)用。
特性
1) 低導(dǎo)通電阻
2) 小型表面貼裝封裝（TSMT8）
3) 無(wú)鉛電鍍；符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
4) 無(wú)鹵素
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)
產(chǎn)品屬性
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
配置： N 和 P 溝道
FET 功能： -
漏源電壓（Vdss）： 30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：9A，8A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 16 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 15.5nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 640pF @ 15V
功率 - 最大值： 1.5W
工作溫度： 150°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
封裝/外殼： 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝： TSMT8
基本產(chǎn)品編號(hào)： QH8MA4
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