深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和回收【ST分銷商】STM32H753IIK6 和 STM32H753IIT6 STM32H7高性能MCU基于高性能Arm Cortex-M7 32位RISC內(nèi)核。描述：STM32H753IIK6 和 STM32H753IIT6 STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護(hù)單元 (MPU)，可增強(qiáng)應(yīng)用的安全性。該MCU采用高速…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)和回收【ST分銷商】STM32H753IIK6 和 STM32H753IIT6 STM32H7高性能MCU基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核。
描述：
STM32H753IIK6 和 STM32H753IIT6 STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護(hù)單元 (MPU)，可增強(qiáng)應(yīng)用的安全性。
該MCU采用高速嵌入式存儲器，具有高達(dá)2MB的雙區(qū)閃存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM）。另外，該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強(qiáng)型I/O和外設(shè)，以及支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連。
特性：
核心
具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位 Arm? Cortex?-M7內(nèi)核：16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存，
支持從256位嵌入式閃存單次訪問一條高速緩存線；頻率高達(dá)400MHz，MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令
存儲器
高達(dá)2Mbyte閃存，具有同時(shí)讀寫能力
1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM，用于存儲時(shí)間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù)）、864KB的用戶SRAM，以及4KB備份域SRAM
雙模Quad-SPI存儲器接口，運(yùn)行頻率高達(dá)133MHz
具有高達(dá)32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲器控制器：在同步模式下，SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時(shí)鐘頻率高達(dá)133MHz
CRC計(jì)算單元
安全性
ROP、PC-ROP、主動篡改
通用輸入/輸出
多達(dá)168個(gè)具有中斷能力的I/O端口
運(yùn)行速率高達(dá)133MHz的快速I/O
多達(dá)164個(gè)5V容差I(lǐng)/O
復(fù)位和電源管理
3個(gè)獨(dú)立的電源域，可以獨(dú)立地進(jìn)行時(shí)鐘門控或關(guān)閉，以最大限度地提高電源效率：
D1：可實(shí)現(xiàn)高帶寬的高性能外設(shè)
D2：通信外設(shè)和計(jì)時(shí)器
D3：復(fù)位/時(shí)鐘控制/電源管理
1.62V至3.6V應(yīng)用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用USB電源，可為內(nèi)部PHY供電
具有可配置的可擴(kuò)展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器 (LDO)，可為數(shù)字電路供電
在運(yùn)行和停止模式下進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)（5個(gè)可配置范圍）
備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)
模擬外設(shè)的參考電壓/VREF+
低功耗模式：睡眠、停止、待機(jī)以及VBAT支持電池充電
低功耗
總電流消耗低至4μA
時(shí)鐘管理
內(nèi)部振蕩器：64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI
外部振蕩器：4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE
3個(gè)帶分?jǐn)?shù)模式的PLL（1個(gè)用于系統(tǒng)時(shí)鐘，2個(gè)用于內(nèi)核時(shí)鐘）
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