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LPDDR4內(nèi)存芯片 MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【分銷存儲器芯片】推出LPDDR4內(nèi)存芯片 MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA，全新原裝，質(zhì)量保證！MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 產(chǎn)品介紹：LPDDR4內(nèi)存…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司【分銷存儲器芯片】推出LPDDR4內(nèi)存芯片 MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 LPDDR4 16G 512MX32 FBGA，全新原裝，質(zhì)量保證！
MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 產(chǎn)品介紹：
LPDDR4內(nèi)存器件優(yōu)化了x16、x32和x64配置，可為某些應(yīng)用節(jié)省BOM。LPDDR4內(nèi)存在性能、功耗、延遲和物理空間之間實(shí)現(xiàn)了完美平衡，因此非常節(jié)能。這些LPDDR4內(nèi)存器件適合用于手持設(shè)備、電池供電應(yīng)用和超便攜設(shè)備。
特性
優(yōu)化用于解決電池供電應(yīng)用中的功耗問題
與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比，在待機(jī)模式下的功耗降低至1/5
多芯片封裝 (MCP) 和封裝體疊層 (PoP) 設(shè)計(jì)，可節(jié)省PCB空間
與DDR4相比，峰值帶寬快33%
規(guī)格
產(chǎn)品種類: 動態(tài)隨機(jī)存取存儲器
類型: SDRAM - LPDDR4
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: FBGA
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: DRAM
工廠包裝數(shù)量: 1360
子類別: Memory & Data Storage
應(yīng)用
汽車
工業(yè)
消費(fèi)電子產(chǎn)品
公司長期供應(yīng)和回收存儲器芯片MT53E512M32D1ZW-046 AUT:B、MT53E512M32D1ZW-046 AIT:B 只要原裝，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555！
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