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產(chǎn)品分類

AI 處理器

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圖片僅供參考,請參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號:IPP60R280P7

商品名稱:N-通道功率MOSFET

品牌:INFINEON

年份:25+

封裝:PG-TO220-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IPP60R280P7
封裝
PG-TO220-3
描述
600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) MOSFET 晶體管,PG-TO220-3

產(chǎn)品描述

【Infineon】IPP60R280P7——600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) MOSFET 晶體管,PG-TO220-3


產(chǎn)品詳情:

型號:IPP60R280P7

封裝:PG-TO220-3

類型:N-通道功率MOSFET

說明:600V CoolMOS ? P7 是 600V CoolMOS ? P6 系列的后續(xù)產(chǎn)品。它在設(shè)計過程中不斷平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ?第 7 代平臺一流的 R onxA 和固有的低柵極電荷 (Q G) 確保了其高效率。


IPP60R280P7 規(guī)格參數(shù):

系列:CoolMOS? P7

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):12A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):280 毫歐 @ 3.8A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 190μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):18 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):761 pF @ 400 V

功率耗散(最大值):53W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3

封裝/外殼:TO-220-3


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PG-TO263-3

5000

120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPB60R360P7

INFINEON

PG-TO263-3

5000

600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPB60R080P7

INFINEON

PG-TO263-3

5000

600V,CoolMOS ? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 晶體管,PG-TO263-3

IPB048N15N5LF

INFINEON

PG-TO263-3

5000

150V,OptiMOS ?5 線性 FET 晶體管,PG-TO263-3

IPW60R024CM8

INFINEON

TO247-3

2000

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IPW60R055CM8

INFINEON

TO247-3

2000

600V CoolMOS? 8 N溝道功率MOSFET晶體管

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

  • 2.公司商品都是原裝正品嗎?

    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

    答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。

  • 4.我可以通過公司網(wǎng)站進行詢價嗎?

    答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。

  • 5.下單后什么時候能發(fā)貨?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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    答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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