商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:25+
封裝:48-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
STM32C051C6T6主流微控制器基于工作頻率可達(dá)48 MHz的高性能Arm? Cortex?-M0+ 32位RISC內(nèi)核。該微控制器具有高集成度,適合消費(fèi)、工業(yè)和家電領(lǐng)域的各類應(yīng)用,也能充分滿足物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 解決方案的需求。其主要特性和技術(shù)參數(shù)如下:
主要特性
高性能核心?:STM32C051C6T6基于Arm Cortex-M0+ 32位RISC核心,最高運(yùn)行頻率為48 MHz。
內(nèi)存容量?:STM32C051C6T6具有32 Kbytes的Flash存儲(chǔ)器和12 Kbytes的SRAM。
連接性?:STM32C051C6T6包含2個(gè)USART、定時(shí)器、模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)等外設(shè)。
安全特性?:STM32C051C6T6內(nèi)置內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),支持讀寫保護(hù)和安全區(qū)域設(shè)置。
功耗?:STM32C051C6T6適用于低功耗應(yīng)用,工作電壓范圍為2-3.6V。
技術(shù)參數(shù)
核心處理器:ARM? Cortex?-M0+
內(nèi)核規(guī)格:32-位
速度:48MHz
連接能力:I2C,IrDA,LINbus,SPI,UART/USART
外設(shè):掉電檢測(cè)/復(fù)位,DMA,I2S,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):45
程序存儲(chǔ)容量:32KB(32K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大?。?2K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):2V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 23x12b SAR
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
器件封裝:48-LQFP(7x7)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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