NCV0372BDWR2G是一種單片電路,可用作伺服放大器和電源等多種應(yīng)用中的功率運算放大器。無死區(qū)分頻失真為驅(qū)動線圈提供了更好的性能。
特點
? 輸出電流高達(dá) 1.0 A
? 1.3 V/s 的回轉(zhuǎn)速率
? 1.1 MHz 寬帶寬
? 內(nèi)部熱關(guān)斷
? 單電源或分路電源操作
? 優(yōu)秀的增益和相位差
? 共模輸入包括接地
? 零死區(qū)分頻失真
? NCV 器件通過了 AEC-Q100 認(rèn)證,并具備 PPAP 能力
? 這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
NCV0372BDWR2G產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 運算放大器 - 運放
通道數(shù)量: 2 Channel
GBP-增益帶寬產(chǎn)品: 1.4 MHz
SR - 轉(zhuǎn)換速率 : 1.4 V/us
Vos - 輸入偏置電壓 : 1 mV
Ib - 輸入偏流: 100 nA
電源電壓-最大: 15 V
電源電壓-最小: - 15 V
工作電源電流: 8 mA
每個通道的輸出電流: 1 A
CMRR - 共模抑制比: 90 dB
en - 輸入電壓噪聲密度: 22 nV/sqrt Hz
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
關(guān)閉: No Shutdown
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TCA0372
資格: AEC-Q100
3dB帶寬: -
輸入類型: Differential
Ios - 輸入偏置電流 : 10 nA
濕度敏感性: Yes
輸出類型: -
PSRR - 電源抑制比: 90 dB
THD + 噪聲: 0.02 %
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Dual
Vcm - 共模電壓: 0 V to 14 V
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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