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IMT65R040M2H是一款CoolSiC? MOSFET 650 V G2產品，采用TOLL封裝形式，導通電阻為40 m???。該產品具有出色的魯棒性和可靠性，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，最高結溫達到175°C，并且經過12000次熱循環(huán)測試（TCoB），確保了長期使用的穩(wěn)定性?。

IMT65R040M2H適用于多種應用場景，包括TV電源、采暖通風與空調（HVAC）等。其高效能和緊湊的設計使其在需要高功率密度的應用中表現(xiàn)出色?。

IMT65R040M2H 規(guī)格

封裝 / 箱體：HSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：58.7 A

Rds On-漏源導通電阻：49 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：28 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：277 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：4.6 ns

產品類型：SiC MOSFETS

上升時間：8.3 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關閉延遲時間：14.4 ns

典型接通延遲時間：8.4 ns

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