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IMT65R060M2H是（Infineon）推出的一款CoolSiC? MOSFET，屬于650V G2代產(chǎn)品，采用TOLL封裝，導(dǎo)通電阻為60m???。IMT65R060M2H在設(shè)計上克服了傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制，并通過改進的.xt互聯(lián)技術(shù)降低了熱阻，從而能夠充分利用碳化硅（SiC）材料的優(yōu)勢，同時保持較小的尺寸，適合高功率密度的應(yīng)用場景?。

IMT65R060M2H 參數(shù)

封裝/箱體：HSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：41.4 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：73 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：5.6 V

Qg-柵極電荷：19 nC

工作溫度：- 55°C 至 + 175°C

Pd-功率耗散：208 W

通道模式：Enhancement

商標：Infineon Technologies

配置：Single

下降時間：4.8 ns

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：5.6 ns

晶體管類型：1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：13.7 ns

典型接通延遲時間：6.3 ns

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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