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SCT3040KW7TL 1200V 碳化硅 (SiC) MOSFET器件在開關期間不會產(chǎn)生尾電流，因此動作更快，開關損耗更低。它們的低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。應用包括太陽能逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關模式電源、感應加熱和電機驅(qū)動。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：56A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 20A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 10mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：107 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1337 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：267W

工作溫度：175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：SCT3040

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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