商品名稱:SCTW40N120G2VAG
數(shù)據(jù)手冊:SCTW40N120G2VAG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:HiP247
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCTW40N120G2VAG 1200V 汽車級碳化硅功率MOSFET采用 ST先進(jìn)的創(chuàng)新第二/第三代碳化硅MOSFET技術(shù)開發(fā)而成。該器件具有低單位面積導(dǎo)通電阻和良好的 開關(guān)性能。應(yīng)用包括主逆變器(電力牽引)、用于EV/HEV的直流/直流轉(zhuǎn)換器和車載充電器(OBC)。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):33A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):105毫歐 @ 20A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):63 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+22V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1230 pF @ 800 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):290W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:HiP247?
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號:SCTW40
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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VL53L3CAV0DH/1
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STM8S105K6U3ATR 是屬于 STM8S 系列 8 位微控制器,工作頻率為 16MHz,采用哈佛架構(gòu)和 3 級流水線,具備 32KB 的 Flash 程序存儲器,1K 字節(jié)的數(shù)據(jù) EEPROM,以及 2K 字節(jié)的 RAM。工作電壓范圍為 2.95V 至 5.5V,工作溫度范圍為 - 40℃至 125℃,采用 32-UFQFPN(5x5)封裝…STM32L031C6U6
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STM32F030CCT6是一款基于 Arm Cortex-M0 內(nèi)核的主流微控制器,具有 256 Kbytes 的 Flash 存儲器和 48 MHz 的 CPU 頻率。VIPER06LSTR
VIPER06LSTR 是一款離線轉(zhuǎn)換器,具有 800 V 雪崩式堅(jiān)固電源部分、PWM 控制器、用戶定義的過流限制、開環(huán)故障保護(hù)、滯后熱保護(hù)、軟啟動和任何故障條件下的安全自動重啟功能。電話咨詢:86-755-83294757
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