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650V SCTW35N65G2V 碳化硅功率MOSFET器件是采用ST半導(dǎo)體先進(jìn)創(chuàng)新的第二代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)的。該器件具有非常低的單位面積導(dǎo)通電阻和非常好的開關(guān)性能。開關(guān)損耗的變化幾乎與結(jié)溫?zé)o關(guān)。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：240W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：HiP247?

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：SCTW35

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。