商品名稱:IXYA30N120A4HV
數(shù)據(jù)手冊:IXYA30N120A4HV.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-263
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IXYA30N120A4HV 溝槽型1200V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。器件具有低熱阻、低能耗、快速開關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開關(guān)和短路條件下具有出色的耐用性。
產(chǎn)品規(guī)格:
IGBT 類型:PT
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):106 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):184 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,25A
功率 - 最大值:500 W
開關(guān)能量:4mJ(開),3.4mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:57 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/235ns
測試條件:960V,25A,5 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr):42 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝:TO-263HV
基本產(chǎn)品編號:IXYA30
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
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VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應(yīng)用場景設(shè)計。IXSH80N120L2KHV
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IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性,適用于高功率應(yīng)用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動功率要求?:柵極驅(qū)動電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場景,包括:太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動DC/DC轉(zhuǎn)換器電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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