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IGLR65R200D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分，它符合最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，實現(xiàn)了具有卓越效率的高可靠性設(shè)計。

它采用底部冷卻 ThinPAK 封裝，非常適合外形纖薄的消費類應(yīng)用。

IGLR65R200D2特性概述：

650 V 電子模式功率晶體管

超快開關(guān)

無反向恢復(fù)電荷

能夠反向傳導(dǎo)

低柵極電荷、低輸出電荷

卓越的換向堅固性

低動態(tài) RDS(on)

高 ESD 魯棒性：2 kV HBM - 1 kV CDM

底部冷卻封裝

通過 JEDEC 認(rèn)證（JESD47、JESD22）

IGLR65R200D2規(guī)格：

產(chǎn)品種類: GaN 場效應(yīng)晶體管

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 9.2 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 240 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V

Qg-柵極電荷: 1.8 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 33 W

通道模式: Enhancement

封裝 / 箱體: PG-TSON-8

IGLR65R200D2潛在應(yīng)用：

基于半橋硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洌ㄈ鐖D騰開關(guān)）的工業(yè)、電信、數(shù)據(jù)中心 SMPS 以及充電器和適配器。以及充電器和適配器。

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。