商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
功率 MOSFET IQDH45N04LM6SC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率可提高五倍。
產(chǎn)品特性
最先進(jìn)的 40 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進(jìn)的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
產(chǎn)品屬性
制造商: Infineon Technologies
系列: OptiMOS? 6
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :58A (Ta), 611A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 0.49 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 1.449mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 78 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 12000 pF @ 20 V
功率耗散(最大值): 3W(Ta),333W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
應(yīng)用領(lǐng)域
低壓驅(qū)動(dòng)
電動(dòng)工具
電源
服務(wù)器電源
計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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