商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 5x6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
GS-065-011-6-L-MR 是一款增強型氮化鎵非硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率。GaN Systems 通過業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新技術(shù),如獲得專利的 Island Technology? 單元布局,實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷卻型晶體管,具有極低的結(jié)殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應(yīng)用。這些特性結(jié)合在一起,可提供極高效率的功率開關(guān)。
應(yīng)用
電源適配器
LED照明驅(qū)動器
電池充電快
功率因數(shù)校正
工業(yè)電源
光伏
電信基礎(chǔ)設(shè)施用交流-直流電源轉(zhuǎn)換
數(shù)據(jù)中心和計算解決方案
電器和工業(yè)電機驅(qū)動器
無線功率傳輸
GS-065-011-6-L-MR產(chǎn)品屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12.2A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(5x6)
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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