商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-TO263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IPF026N15NM6 - OptiMOS? 6 功率 MOSFET 晶體管,150V 正常電平,采用 D2PAK 7 引腳封裝
概述:
IPF026N15NM6 - OptiMOS? 6 150V 正常電平在競(jìng)爭(zhēng)激烈的 150V 市場(chǎng)中樹(shù)立了新的性能典范。OptiMOS? 6 150 V 技術(shù)旨在滿足高、低開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用以及硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)的要求。
IPF026N15NM6 - 產(chǎn)品屬性:
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A (Ta), 239A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,15V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.5mOhm @ 100A, 15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 276μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):137 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):9900 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),395W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7-3
封裝/外殼:TO-263-7,D2PAK(6 引線 + 凸片)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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