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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):DMWSH120H43SM3

商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET

品牌:Diodes

年份:24+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:3000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
Diodes
型號(hào)
DMWSH120H43SM3
封裝
TO-247-3
描述
碳化硅 (SiC) MOSFET 通孔 N 通道 1200 V 72.7A(Tc) 341W(Tc) TO-247-3

產(chǎn)品描述

DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。


DMWSH120H43SM3的規(guī)格:

FET 類型:N 通道

技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)

漏源電壓(Vdss):1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):72.7A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):43毫歐 @ 40A,15V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 11.5mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):105 nC @ 15 V

Vgs(最大值):+19V,-8V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2187 pF @ 1000 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):341W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

等級(jí):-

資質(zhì):-

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:TO-247

封裝/外殼:TO-247-3


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常見問題

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    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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Diodes

Diodes

Diodes Inc.成立於1966年,是美國Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…

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