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C3M0350120J是基于第三代平面MOSFET技術(shù)的1200 V, 7.2 A碳化硅功率MOSFET，具有高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和低電容高速開關(guān)。該款MOSFET采用小型TO-263-7封裝。典型應(yīng)用包括可再生能源、高壓直流/直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源（SMPS）和不間斷電源（UPS）。

C3M0350120J的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7.2A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：455 毫歐 @ 3.6A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：13 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+15V，-4V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：345 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：40.8W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：C3M0350120

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