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采用 TO-247-3 封裝的 IMW65R040M2H  CoolSiC? MOSFET 650 V、40 mΩ G2 在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，加快了成本優(yōu)化、高效、緊湊和可靠解決方案的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。第 2 代產(chǎn)品在硬開(kāi)關(guān)操作和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見(jiàn)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合。

特征描述(IMW65R040M2H)

優(yōu)異的性能指標(biāo)（FOM）

同類最佳的 RDS(on)

高堅(jiān)固性和整體質(zhì)量

靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍

支持單極驅(qū)動(dòng)（VGSoff=0）

最佳的抗導(dǎo)通效應(yīng)

通過(guò) .XT 改進(jìn)封裝互連

產(chǎn)品屬性(IMW65R040M2H)

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 5 ns

Id-連續(xù)漏極電流: 46 A

最大工作溫度: + 175 C

最小工作溫度: - 55 C

安裝風(fēng)格: Through Hole

通道數(shù)量: 1 Channel

封裝 / 箱體: TO-247-3

Pd-功率耗散: 172 W

產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷: 28 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 49 mOhms

上升時(shí)間: 10 ns

系列: 650V G2

技術(shù): SiC

商標(biāo)名: CoolSiC

晶體管極性: N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 15 ns

典型接通延遲時(shí)間: 23 ns

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Vgs - 柵極-源極電壓: - 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

• 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎？

  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

• 4.我可以通過(guò)公司網(wǎng)站進(jìn)行詢價(jià)嗎？

  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

• 5.下單后什么時(shí)候能發(fā)貨？多久能到？

  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開(kāi)發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。