商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HDSOP-10
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IPDD60R037CM8一款600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS? 7 MOSFET 系列(包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7)的后續(xù)產(chǎn)品。
它的柵極電荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%,關(guān)斷損耗 (Eoss) 比 CFD7 進(jìn)一步降低了 12%,反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 比 CFD7 降低了 3%,反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 也是市場(chǎng)上最低的。
參數(shù)描述
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: HDSOP-10
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續(xù)漏極電流: 72 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 37 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.7 V
Qg-柵極電荷: 79 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 416 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: CoolMOS
系列: 600V CM8
配置: Single
下降時(shí)間: 5.8 ns
上升時(shí)間: 7.6 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 101.6 ns
典型接通延遲時(shí)間: 20.6 ns
潛在應(yīng)用
? 電源和轉(zhuǎn)換器
? PFC級(jí)和LLCresonant轉(zhuǎn)換器
? 高能效開(kāi)關(guān)應(yīng)用
? 例如:服務(wù)器、電信、EVC 充電、UPS
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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