商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-263-7
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IMBG120R026M2H是采用TO-263-7封裝的第二代1200V CoolSiC? MOSFET。
說明:
這款第二代1200 V、26 mΩ CoolSiC? MOSFET采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝,它在第一代技術(shù)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了改進(jìn),可加快系統(tǒng)設(shè)計(jì),提供更經(jīng)濟(jì)、高效、緊湊且可靠的解決方案。第二代技術(shù)在應(yīng)用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的關(guān)鍵性能方面做出了顯著改進(jìn),適用于各種常見的AC-DC、DC-DC和DC-AC級(jí)組合。
IMBG120R026M2H的特性:
RDS(on)= 25.4 mΩ,VGS = 18V,Tvj = 25°C
非常低的開關(guān)損耗
過載時(shí)結(jié)溫(Tvj)可達(dá)200°C
可承受2 μs的短路
基準(zhǔn)柵極閾值電壓VGS(th) = 4.2V
具有堅(jiān)固耐用的體二極管,適用于硬換向
采用.XT互連技術(shù),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的熱性能
IMBG120R026M2H的應(yīng)用:
電動(dòng)汽車充電
在線UPS/工業(yè)UPS
串逆變器
通用驅(qū)動(dòng)器(GPD)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。電話咨詢:86-755-83294757
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