商品名稱:射頻微控制器 - MCU
品牌:ON
年份:24+
封裝:WLCSP-40
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NCH-RSL15-512-101WC40-ABG是一款專為智能互聯(lián)設(shè)備而設(shè)計(jì)的藍(lán)牙5.2安全無線MCU。
參數(shù):NCH-RSL15-512-101WC40-ABG
核心:ARM Cortex M33
程序存儲(chǔ)器大小:512 kB
數(shù)據(jù) RAM 大?。?0 kB
最大時(shí)鐘頻率:48 MHz
ADC分辨率:12 bit
電源電壓-最?。?.4 V
電源電壓-最大:3.6 V
最小工作溫度:- 40°C
最大工作溫度:+ 85°C
封裝 / 箱體:WLCSP-40
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
商標(biāo):onsemi
數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM
接口類型:I2C
濕度敏感性:Yes
工作電源電壓:1.4 V to 3.6 V
產(chǎn)品類型:RF Microcontrollers - MCU
程序存儲(chǔ)器類型:Flash
系列:RSL15
說明
RSL15是一款基于Arm? Cortex??M33處理器的超低功耗安全低功耗藍(lán)牙5.2無線MCU,專為工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用中的智能互聯(lián)設(shè)備而設(shè)計(jì)。RSL15具有內(nèi)置電源管理、寬廣的電源電壓范圍、靈活的GPIO和時(shí)鐘方案以及廣泛的外設(shè)集,為高性能和超低功耗應(yīng)用提供了最大程度的設(shè)計(jì)靈活性。 RSL15包含80kB RAM,并有284kB或512kB兩種閃存選擇。
應(yīng)用
? 工業(yè)自動(dòng)化和傳感
? 醫(yī)療互聯(lián)傳感器
? 可穿戴設(shè)備
? 資產(chǎn)追蹤
? 電子標(biāo)簽和門禁控制
? 電子標(biāo)牌
? 數(shù)據(jù)記錄器
? 智能電器
? 能量收集開關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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