NCIV9401R2是一款帶輸出使能的電隔離高速四通道數(shù)字隔離器。它采用安森美半導(dǎo)體專利的電隔離片外電容技術(shù)和優(yōu)化的集成電路設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了高絕緣和高抗噪能力,具有高共模抑制和電源抑制規(guī)格。厚陶瓷基板產(chǎn)生的電容器厚度約為片上薄膜電容器和無芯變壓器的 25 倍。該器件采用 16 引腳寬體小外形封裝,兼具數(shù)字隔離器的電氣性能優(yōu)勢和大于 0.5 毫米絕緣體屏障的安全可靠性。
產(chǎn)品屬性
技術(shù): 容性耦合
類型: I2C,SPI
隔離式電源: 是
通道數(shù): 4
輸入 - 側(cè) 1/側(cè) 2: 4/0
通道類型: 單向
電壓 - 隔離: 5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值): 100kV/μs
數(shù)據(jù)速率: 10Mbps
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值): 200ns,200ns
脈寬失真(最大): 80ns
上升/下降時(shí)間(典型值): 3ns,2ns
電壓 - 供電: 2.5V ~ 5.5V
等級: 汽車級
資質(zhì): AEC-Q100
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝: 16-SOIC
典型應(yīng)用
? 隔離式 PWM 控制
? 工業(yè)現(xiàn)場總線通信
? 微處理器系統(tǒng)接口(SPI、I2C 等)
? 可編程邏輯控制
? 隔離式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
? 電壓電平轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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