NOIP1SN0300A-QTI是一款 1/4" VGA CMOS 圖像傳感器,像素陣列為 640 X 480。 高靈敏度的 4.8 μm x 4.8 μm 像素支持低噪點(diǎn)“管線”和“觸發(fā)”全局快門讀取模式。另外,全局快門模式下的關(guān)聯(lián)雙采樣 (CDS) 支持可降低噪點(diǎn),提高動(dòng)態(tài)范圍。
該傳感器具有片上可編程增益放大器和 10 位 A/D 轉(zhuǎn)換器。集成時(shí)間和增益參數(shù)可以重新配置,而不會(huì)出現(xiàn)任何可見的圖像瑕疵??蛇x的片上自動(dòng)曝光控制環(huán)路 (AEC) 動(dòng)態(tài)控制這些參數(shù)。圖像的黑度等級可自動(dòng)校準(zhǔn)或通過增加用戶可編程的偏移進(jìn)行調(diào)整。 使用四線串行外圍接口的較高編程能力讓用戶能夠讀取感興趣的具體區(qū)域。最多可編程 8 個(gè)區(qū)域,實(shí)現(xiàn)更高的幀速率。該圖像數(shù)據(jù)接口包括 4 個(gè) LVDS 通道,在零 ROT 模式下實(shí)現(xiàn)最高每秒 815 幀的幀速率。每個(gè)溝道均以 720 Mbps 運(yùn)行。提供了一個(gè)包含負(fù)載信息的單獨(dú)同步溝道,實(shí)現(xiàn)了接收端的圖像重構(gòu)。 PYTHON 300 采用 48 引腳 LCC 封裝,提供帶和不帶保護(hù)膠帶的單色、彩色和增強(qiáng) NIR 版本。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: 圖像傳感器
類型: CMOS 圖像傳感器
圖象大小: 640 H x 480 V
顏色讀出: Monochrome
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
分辨率: 0.3 Megapixels
每秒幀數(shù): 815 fps
像素大小 - 寬x高: 4.8 um x 4.8 um
封裝 / 箱體: LCC-48
工作電源電壓: 1.8 V, 3.3 V
濕度敏感性: Yes
光學(xué)格式: 1.4 in
系列: PYTHON300
電源電壓-最大: 3.4 V
電源電壓-最小: 1.7 V
應(yīng)用
? 機(jī)器視覺
? 運(yùn)動(dòng)監(jiān)控
? 安全
? 條形碼掃描(二維)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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