商品名稱:STM32G483MET6
數(shù)據(jù)手冊:STM32G483MET6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:LQFP80
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1694 件
STM32G483MET6:ARM微控制器 - MCU Mainstream Arm Cortex-M4+ MCU 170MHz 512Kbytes of Flash Math Accel, High Analog
描述:
STM32G483MET6器件基于高性能Arm? Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。它們的工作頻率高達(dá)170 MHz。
Cortex-M4內(nèi)核具有單精度浮點(diǎn)單元(FPU),它支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和所有數(shù)據(jù)類型。它還實現(xiàn)了一整套DSP(數(shù)字信號處理)指令和一個內(nèi)存保護(hù)單元(MPU),增強(qiáng)了應(yīng)用程序的安全性。
特性
內(nèi)核:
Arm? 32位Cortex?-M4 CPU,具有FPU和自適應(yīng)實時 (ART) 加速器
數(shù)學(xué)硬件加速器:
用于三角函數(shù)加速的CORDIC
FMAC:濾波器數(shù)學(xué)加速器
存儲器:
512KB閃存(支持ECC )、兩組同時讀寫、專有代碼讀出保護(hù) (PCROP)、安全存儲區(qū)和1KB OTP
96KB SRAM,在前32KB上實現(xiàn)硬件奇偶校驗
常規(guī)加速器:指令和數(shù)據(jù)總線上32KB SRAM,帶硬件奇偶校驗 (CCM SRAM)
外部存儲器接口,用于支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存儲器的靜態(tài)存儲器FSMC
Quad-SPI存儲器接口
復(fù)位和電源管理:
上電/斷電復(fù)位 (POR/PDR/BOR)
可編程電壓檢測器 (PVD)
低功耗模式:睡眠、停止、待機(jī)和關(guān)斷
用于RTC和備用寄存器的VBAT電源
互聯(lián)矩陣
16通道DMA控制器
7個超快軌到軌模擬比較器
通信接口:
3個FDCAN控制器
4個I2C
5個USART/UART
1個LPUART
4個SPI
1個SAI
USB 2.0全速接口,支持LPM和BCD
IRTIM
USB Type-C?/USB供電控制器 (UCPD)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Renesas
LFQFP-100
1300
M16C/60 M16C? M16C/60/65 微控制器 IC 16 位 32MHz 768KB (768K x 8) FLASH 100-LFQFP (14x14)
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
STM32FEBKC6T6A是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)設(shè)計生產(chǎn)的 32 位微控制器,采用 ARM Cortex-M3 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 72MHz,具有高性能和低功耗的特點(diǎn),適用于多種應(yīng)用場景。SPC563M64L5COAR
SPC563M64L5COAR是一款高性能 32 位汽車微控制器,基于 Power Architecture 技術(shù),專為汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計。STM32G070CBT6TR
STM32G070CBT6TR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的基于 Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核的 32 位微控制器,具有高性能、低功耗和豐富的外設(shè)接口,適用于多種嵌入式應(yīng)用。STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機(jī)驅(qū)動器,采用簡潔卻堅固的設(shè)計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅(qū)動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點(diǎn)和主要規(guī)格如下:特點(diǎn)包含用于柵極驅(qū)動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…電話咨詢:86-755-83294757
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