商品名稱:NTHL027N65S3HF
數(shù)據手冊:NTHL027N65S3HF.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NTHL027N65S3HF 功率 MOSFET,N 溝道,SUPERFET? III,F(xiàn)RFET?,650 V,75 A,27.4mΩ,TO-247
NTHL027N65S3HF:SUPERFET III MOSFET 是安森美半導體的全新高壓超結 (SJ) MOSFET 系列,利用電荷平衡技術實現(xiàn)出色的低導通電阻,以及更低門極電荷方面的卓越性能。此先進技術專用于最大程度降低導電損耗,提供卓越的開關性能,并且可以承受極端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET III MOSFET 適用于各種電源系統(tǒng),實現(xiàn)系統(tǒng)小型化和更高能效。SUPERFET III FRFET MOSFET 優(yōu)化的體二極管逆向恢復性能可以消除附加組件,提高系統(tǒng)可靠性。
特征
?700V@TJ=150°C
?類型。RDS(開啟)=23米
?超低柵極電荷(典型Qg=225 nC)
?低有效輸出電容(典型Coss(eff.)=1878 pF)
?100%雪崩測試
?這些設備不含鉛,符合RoHS標準
應用
?電信/服務器電源
?工業(yè)電源
?電動汽車充電器
?不間斷電源/太陽能
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅動應用設計。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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