NTHL040N65S3F屬于SuperFET? III MOSFET是高壓超結 (SJ) N溝道MOSFET,旨在滿足電信、服務器、電動汽車 (EV) 充電器和太陽能產(chǎn)品的高功率密度、系統(tǒng)效率和超高可靠性要求。此系列器件擁有出色的可靠性、低電磁干擾、超高的效率和卓越的熱性能,是高性能應用的理想選擇。除高性能外,SuperFET III MOSFET還通過豐富的封裝選項為產(chǎn)品設計師提供高度的靈活性,特別是在尺寸受限的設計中。
產(chǎn)品屬性
系列: SuperFET? III
包裝: 管件
FET 類型: N 通道
技術: MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :65A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) :40 毫歐 @ 32.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 5V @ 6.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 158 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 5940 pF @ 400 V
功率耗散(最大值): 446W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應商器件封裝: TO-247-3
封裝/外殼: TO-247-3
應用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
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UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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