商品名稱:IXBA14N300HV
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-263-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IXBA14N300HV - 高電壓、高增益 BIMOSFET? 單片雙極 MOS 晶體管
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型 NPT
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 3000 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 38 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) 2.7V @ 15V,14A
功率 - 最大值 200 W
輸入類型 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷 62 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值 40ns/166ns
測(cè)試條件 960V,14A,20 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 1.4 μs
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝 TO-263
產(chǎn)品特性
高電壓封裝
高阻斷電壓
反并聯(lián)二極管
低傳導(dǎo)損耗
優(yōu)勢(shì)
柵極驅(qū)動(dòng)要求低
功率密度高
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源
不間斷電源 (UPS)
激光發(fā)生器
電容器放電電路
交流開(kāi)關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET,專為高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開(kāi)關(guān)和低損耗的應(yīng)用,如車載充電器、電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級(jí)SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)特性,適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)、單開(kāi)關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動(dòng)功率要求?:柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級(jí)單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開(kāi)關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場(chǎng)景,包括:太陽(yáng)能逆變器開(kāi)關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動(dòng)DC/DC轉(zhuǎn)換器電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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