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SemiQ SiC MOSFET 模塊在高溫下具有低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能，從而簡(jiǎn)化了電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì)。SiC MOSFET 模塊工作時(shí)開關(guān)損耗為零，可顯著提高效率并減少散熱，從而實(shí)現(xiàn)更小的散熱器。

GCMS080B120S1-E1器件屬性：

產(chǎn)品種類: 分立半導(dǎo)體模塊

產(chǎn)品: Power MOSFET Modules

類型: COPACK Power Module

技術(shù): SiC

Vf - 正向電壓: 1.5 V at 10 A

Vr - 反向電壓 : 1.2 kV

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V

安裝風(fēng)格: Screw Mount

封裝 / 箱體: SOT-227-4

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

封裝: Tube

商標(biāo): SemiQ

配置: Single

下降時(shí)間: 14 ns

Id-連續(xù)漏極電流: 30 A

Pd-功率耗散: 142 W

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 77 mOhms

上升時(shí)間: 4 ns

晶體管極性: N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 16 ns

典型接通延遲時(shí)間: 9 ns

Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

應(yīng)用

光伏逆變器

電池充電器

服務(wù)器電源

儲(chǔ)能系統(tǒng)

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。