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NVMYS9D3N06CLTWG 是一款適用于緊湊和高效設計的60V汽車功率 MOSFET。該器件采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：14A（Ta），50A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.2 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 35μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：880 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），46W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q101

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號：NVMYS9D3

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