A6983IQTR 是專為隔離降壓拓?fù)湓O(shè)計的器件。初級輸出電壓可精確調(diào)節(jié)，而隔離式次級輸出則通過給定的變壓器變比產(chǎn)生。
特點
通過 AEC-Q100 認(rèn)證
工作溫度范圍：Tj 為 -40 °C 至 +150 °C
專為等壓降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計
3.5 V 至 38 V 工作輸入電壓
負(fù)載轉(zhuǎn)儲容差高達 40 V
初級輸出電壓調(diào)節(jié)，無需光耦合器
4.5 A 源/匯峰值初級電流能力
強制 PWM 工作時的峰值電流模式架構(gòu)
390 ns 消隱時間
25 μA 工作靜態(tài)電流
200 kHz 至 1 MHz 可編程開關(guān)頻率，通過低 ESR 電容器保持穩(wěn)定：最小 2 μF
內(nèi)部補償網(wǎng)絡(luò)
2 μA 關(guān)機電流
內(nèi)部軟啟動
使能引腳
過壓保護
輸出電壓排序
熱保護
可選擴頻，改善電磁兼容性
電源良好
與外部時鐘同步
應(yīng)用領(lǐng)域
汽車隔離 IGBT/SiC MOSFET 柵極驅(qū)動電源
用于 HEV/EV 的 OBC（車載充電器
電力牽引系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Maxim
TDFN-12
2000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 1V（3.3V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
Maxim
TDFN-12
1000
降壓 開關(guān)穩(wěn)壓器 IC 正 可調(diào)（固定） 3V（3.6V） 1 輸出 600mA 12-WFDFN 裸露焊盤
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意法半導(dǎo)體（ST）集團于1987年成立，是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月，SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%；營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅(qū)動器，采用簡潔卻堅固的設(shè)計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅(qū)動控制的半橋HVIC組成，具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點和主要規(guī)格如下：特點包含用于柵極驅(qū)動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…
STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT，適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景，如工業(yè)控制、電機驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下：IGBT 類型：-電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電…
STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術(shù)，確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時的電壓降（VCE(sat)）較低，且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑，恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：-電壓 - 集射極…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT，其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分，代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡，其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外，它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…
STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件，屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C，具有無尾關(guān)斷特性，飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V（典型值），并且參數(shù)分布緊…
STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件，其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā)，旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷，以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下：技術(shù)規(guī)格IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V電流…電話咨詢：86-755-83294757
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