商品名稱:STL33N60DM6
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STL33N60DM6 N溝道功率MOSFET是MDmesh DM6具有快速恢復(fù)二極管特性系列的一個(gè)產(chǎn)品。與前一代MDmesh技術(shù)相比,DM6將極低恢復(fù)電荷 (Qrr)、極短恢復(fù)時(shí)間 (trr) 以及出色的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)), 與行業(yè)里最高效的開(kāi)關(guān)特性相結(jié)合,非常適合用于效率要求苛刻的橋式拓?fù)浜蚙VS(零電壓開(kāi)關(guān))移相轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):140 毫歐 @ 10.5A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):150W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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