STL52N60DM6 600V、N通道功率MOSFET是MDmesh? DM6快速恢復(fù)二極管的組成部分。該款功率MOSFET具有極低恢復(fù)電荷 (Qrr)、極短恢復(fù)時間 (trr) 以及低RDS(on),適用于要求極為苛刻的高效轉(zhuǎn)換器,并且是橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器的理想之選。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):45A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):84 毫歐 @ 22.5A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):52 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2468 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):174W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8)HV
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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