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商品名稱(chēng):STB36N60M6
品牌:ST
年份:23+
封裝:D2PAK
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STB36N60M6 MDmesh? M6 MOSFET將低柵極電荷 (Qg) 和經(jīng)過(guò)優(yōu)化的電容曲線(xiàn)相結(jié)合,設(shè)計(jì)用于在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的全新拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高效率。該器件具有600 V工作電壓,適用于工業(yè)應(yīng)用,包括充電器、適配器、銀盒模塊、LED照明、電信、服務(wù)器和太陽(yáng)能。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):30A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):99 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):44.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1960 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):208W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線(xiàn) + 凸片),TO-263AB
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱(chēng)改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
STM32FEBKC6T6A是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的 32 位微控制器,采用 ARM Cortex-M3 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 72MHz,具有高性能和低功耗的特點(diǎn),適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。SPC563M64L5COAR
SPC563M64L5COAR是一款高性能 32 位汽車(chē)微控制器,基于 Power Architecture 技術(shù),專(zhuān)為汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。STM32G070CBT6TR
STM32G070CBT6TR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的基于 Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核的 32 位微控制器,具有高性能、低功耗和豐富的外設(shè)接口,適用于多種嵌入式應(yīng)用。STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用簡(jiǎn)潔卻堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。由六個(gè)帶續(xù)流二極管的IGBT和三個(gè)用于柵極驅(qū)動(dòng)控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過(guò)優(yōu)化的開(kāi)關(guān)速度。其特點(diǎn)和主要規(guī)格如下:特點(diǎn)包含用于柵極驅(qū)動(dòng)控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒(méi)有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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