商品名稱:STB33N60DM2
品牌:ST
年份:23+
封裝:D2PAK
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
STB33N60DM2 MDmesh? DM2功率MOSFET是帶快速恢復(fù)二極管的MOSFET,針對(duì)全橋移相ZVS拓?fù)溥M(jìn)行了優(yōu)化。 這款600 V功率MOSFET具有超低反向恢復(fù)電荷和時(shí)間(Qrr,Trr),與前一代相比,R DS (on) 降低了40%。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):24A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):130 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):43 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1870 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):190W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2PAK(2 引線 + 凸片),TO-263AB
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
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