商品名稱:STHU47N60DM6AG
品牌:ST
年份:23+
封裝:HU3PAK
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STHU47N60DM6AG(600V)高壓N溝道功率MOSFET是MDMESH DM6快速恢復(fù)二極管系列的一部分。與之前的MDMesh Fast Generation相比,DM6將極低的恢復(fù)電荷(Qrr)、恢復(fù)時(shí)間(trr)和單位面積RDS(on)的出色改善與市場上最有效的開關(guān)行為相結(jié)合,適用于要求最高的高效率橋式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和ZVS相移轉(zhuǎn)換器。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):80 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):55 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2350 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等級:汽車級
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:HU3PAK
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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