商品名稱:STH275N8F7-6AG
品牌:ST
年份:23+
封裝:H2PAK-6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
STH275N8F7-6AG 是一款STripFET? F7系列低壓功率MOSFET(80 V)具有增強(qiáng)的溝槽柵結(jié)構(gòu),可以降低器件的導(dǎo)通電阻,同時(shí)減小內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實(shí)現(xiàn)更快速、更高效的開關(guān)切換。其出色的品質(zhì)因數(shù)(FoM)和高雪崩耐量有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),降低設(shè)備尺寸和成本,同時(shí)提高應(yīng)用可靠性,例如電信或計(jì)算系統(tǒng)、太陽能逆變器、電機(jī)控制和汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):80 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):180A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.1 毫歐 @ 90A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):193 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):13600 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):315W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級(jí):汽車級(jí)
資質(zhì):AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:H2PAK-6
封裝/外殼:TO-263-7,D2PAK(6 引線 + 凸片)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
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STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…電話咨詢:86-755-83294757
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