商品名稱:STO47N60M6
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerSFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
STO47N60M6 600V、36A MDmesh? M6 MOSFET將低柵極電荷 (Qg) 和經(jīng)過優(yōu)化的電容曲線相結(jié)合,設(shè)計(jì)用于在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的全新拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高效率。該器件具有可提高功率密度的極高效率,以及可在高頻下的低柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):80 毫歐 @ 18A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):52.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2340 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):255W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TOLL(HV)
封裝/外殼:8-PowerSFN
基本產(chǎn)品編號:STO47
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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