STD65N160M9 N溝道功率MOSFET基于創(chuàng)新超結MDmesh M9技術,該技術適用于單位面積導通電阻RDS(on)非常低的中/高電壓MOSFET?;诠璧腗9技術采用多漏制造工藝,增強了器件結構。在所有硅基快速開關超結功率MOSFET中,運用此工藝制造的產(chǎn)品具有較低的導通電阻并降低了柵極電荷值,特別適合需要超高功率密度和出色效率的應用。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):17A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):160 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):32 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1239 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):106W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:DPAK
封裝/外殼:TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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