商品名稱：NCP1342ANDCDAD1R2G
品牌：ON
年份：23+
封裝：9-SOIC
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
NCP1342ANDCDAD1R2G 是一款高度集成的準諧振反激式控制器，適用于設(shè)計高性能離線功率轉(zhuǎn)換器。NCP1342具有集成的有源X2電容器放電功能，可以在無負載時實現(xiàn)低于30mW的功耗。
產(chǎn)品屬性
輸出隔離：隔離
內(nèi)部開關(guān)：無
電壓 - 擊穿：700V
拓撲：反激
電壓 - 啟動：17 V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：9V ~ 28V
占空比：-
頻率 - 開關(guān)：500kHz
故障保護：限流，過載，過負載，超溫，過壓，短路
控制特性：頻率控制，軟啟動
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
封裝/外殼：10-SOP（0.154"，3.90mm 寬），9 引線
供應(yīng)商器件封裝：9-SOIC
安裝類型：表面貼裝型
基本產(chǎn)品編號：NCP1342
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體（ON Semiconductor） 推出的一款三相無刷直流（BLDC）電機預驅(qū)動器，專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計。
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET，采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET，是目前市場上唯一的標準柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝，具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標準柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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